型号参数与资料
- 型号
- IPP024N06N3 G
- 品牌
- Infineon(英飞凌)
- 类别
- 功率MOSFET
| 通道数量 | 1Channel |
|---|---|
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散(Max) | 250W |
| 高度 | 15.65mm |
| 长度 | 10mm |
| 宽度 | 4.4mm |
| 下降时间 | 24ns |
| 上升时间 | 80ns |
| 典型关闭延迟时间 | 79ns |
| 典型接通延迟时间 | 41ns |
| Moisture Level | NA |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.4mΩ |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 连续漏极电流Id | 120A |
| QG (typ @10V) | 206.0 nC |
| 封装/外壳 | TO-220 |
| Rth | 0.6K/W |
| Budgetary Price €/1k | 1.34 |
| Ptot max | 250.0W |
| FET类型 | N-Channel |
| Coss | 3700.0 pF |
| Ciss | 17000.0pF |
| 栅极电压Vgs | 3V,2V,4V |
| 工作温度 | -55°C~175°C |
功率MOSFET 10mm TO-220
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。